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首页 全部分类 IXGA12N100 vs STGB10M65DF2

IXGA12N100备选型号: STGB10M65DF2

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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • 反向恢复时间
  • 最大击穿电压
  • IGBT类型
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXGA12N100
    IXYS
    IGBT 1000V 24A 100W TO263AA
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    1kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2000
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    Matte Tin (Sn)
    HIGH SPEED
    100W
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    IXG*12N100
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE
    COLLECTOR
    Standard
    100W
    电源控制
    N-CHANNEL
    3.5V
    24A
    1000V
    100 ns
    3.5V @ 15V, 12A
    900 ns
    65nC
    48A
    100ns/850ns
    2.5mJ (off)
    20V
    5V
    700ns
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGB10M65DF2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGB10M65DF2 IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263, 3 Pins
    30 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    650V
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    115W
    -
    -
    未说明
    未说明
    STGB10
    -
    -
    -
    -
    -
    Standard
    115W
    -
    -
    2V
    20A
    -
    -
    2V @ 15V, 10A
    -
    28nC
    40A
    19ns/91ns
    120μJ (on), 270μJ (off)
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    1.55V
    EAR99
    Single
    96 ns
    650V
    沟渠现场停车
    无SVHC
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