IXGA12N60CD1备选型号: SGW23N60UFDTM
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 无铅
- IGBT 600V 24A 100W TO263AA表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.59999gSILICON600V-55°C~150°C TJTubeHiPerFAST™, Lightspeed™2002e3yes活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn)100W鸥翼未说明not_compliant未说明IXG*12N603R-PSSO-G2不合格SingleCOLLECTORStandard100W电源控制N-CHANNEL600V24A35ns40 ns2.7V @ 15V, 12A170 ns32nC48A20ns/60ns90μJ (off)20V5VROHS3 Compliant---------
- IGBT 600V 23A 100W D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3--600V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)----Obsolete1 (Unlimited)--100W----SG*23N60---Single-Standard100W--600V23A42 ns-2.6V @ 15V, 12A-49nC92A17ns/60ns115μJ (on), 135μJ (off)--符合RoHS标准D2PAK2.1V150°C-55°C600V12A100W600V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SGW23N60UFDTM | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 23A 100W D2PAK | 对比 |
![]() | IRG4BC30FD-SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 31A 100W D2PAK | 对比 |
![]() | IGB15N60TATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 30A 130W TO263-3-2 | 对比 |





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