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IXGA20N100备选型号: FGB20N60SFD-F085
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- 最大功率耗散
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- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 上升时间-最大值
- 反向恢复时间
- 最大击穿电压
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 40A 3-Pin(2 Tab) TO-263AA6 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.59999gSILICON1kV3V-55°C~150°C TJTube2003yes活跃1 (Unlimited)2150W鸥翼未说明unknown未说明IXG*20N1004R-PSSO-G2不合格SingleCOLLECTORStandard30 ns150WMOTOR CONTROLN-CHANNEL1kV40A1000V60 ns3V @ 15V, 20A1220 nsPT73nC80A30ns/350ns3.5mJ (off)20V5V700nsROHS3 Compliant无铅------
IGBT 600V 40A 208W D2PAK7 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON600V2.4V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013yes活跃1 (Unlimited)2208W鸥翼未说明not_compliant未说明FGB20N60-R-PSSO-G2-SingleCOLLECTORStandard-208W电源控制N-CHANNEL600V40A-28 ns2.85V @ 15V, 20A123 ns场站63nC60A10ns/90ns310μJ (on), 130μJ (off)20V6.5V-ROHS3 Compliant-Automotive, AEC-Q101e3Tin (Sn)21ns111 ns600V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRG4BC40W-SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 40A 160W D2PAK | 对比 |
| HGT1S10N120BNS | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(2 Tab) TO-263AB Rail | 对比 |
| FGB20N60SFD-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 40A 208W D2PAK | 对比 |
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