登录 / 注册

产品

输入型号/关键词

IXGA20N100备选型号: HGT1S10N120BNS

IXGA20N100

IXYS

Trans IGBT Chip N-CH 1KV 40A 3-Pin(2 Tab) TO-263AA

6 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
1.59999g
SILICON
1kV
3V
-55°C~150°C TJ
Tube
2003
yes
活跃
1 (Unlimited)
2
150W
鸥翼
未说明
unknown
未说明
IXG*20N100
4
R-PSSO-G2
不合格
Single
COLLECTOR
Standard
30 ns
150W
MOTOR CONTROL
N-CHANNEL
1kV
40A
1000V
60 ns
3V @ 15V, 20A
1220 ns
PT
73nC
80A
30ns/350ns
3.5mJ (off)
20V
5V
700ns
ROHS3 Compliant
无铅
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
HGT1S10N120BNS

ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(2 Tab) TO-263AB Rail

44 Weeks
Surface Mount, Through Hole
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
1.31247g
SILICON
1.2kV
2.7V
-55°C~150°C TJ
Tube
-
yes
不用于新设计
1 (Unlimited)
2
312W
鸥翼
260
-
30
HGT1S10N120
-
R-PSSO-G2
-
Single
COLLECTOR
Standard
-
-
MOTOR CONTROL
N-CHANNEL
1.2kV
35A
1200V
32 ns
2.7V @ 15V, 10A
330 ns
NPT
100nC
80A
23ns/165ns
320μJ (on), 800μJ (off)
-
-
-
ROHS3 Compliant
无铅
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)
e3
EAR99
Tin (Sn)
低导通损耗
8541.29.00.95
1.2kV
35A
1.2kV
35A
298W
1.2kV
55A
4.83mm
10.67mm
9.65mm
无
添加型号

分立半导体产品相关产品

图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	IRG4BC40W-SPBF	Infineon Technologies	晶体管 - IGBT - 单个	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	IGBT 600V 40A 160W D2PAK	对比
	HGT1S10N120BNS	ON Semiconductor	晶体管 - IGBT - 单个	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(2 Tab) TO-263AB Rail	对比
	FGB20N60SFD-F085	ON Semiconductor	晶体管 - IGBT - 单个	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	IGBT 600V 40A 208W D2PAK	对比