IXGA48N60A3备选型号: IGB30N60H3ATMA1
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- ECCN 代码
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- IGBT 600V 120A 300W TO263AA30 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB1.59999gSILICON600V-55°C~150°C TJTubeGenX3™2009e3yes活跃1 (Unlimited)2PURE TIN低导通损耗300WSINGLE鸥翼未说明unknown未说明IXG*48N604R-PSSO-G2不合格SINGLECOLLECTORStandard300W电源控制N-CHANNEL1.35V120A54 ns1.35V @ 15V, 32A925 nsPT110nC300A25ns/334ns950μJ (on), 2.9mJ (off)20V5VROHS3 Compliant无铅---
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) TO-26316 Weeks-表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON60A-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)TrenchStop®2005e3no活跃1 (Unlimited)2Tin (Sn)--SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明GB30N604R-PSSO-G2不合格SINGLECOLLECTORStandard187W电源控制N-CHANNEL--40 ns2.4V @ 15V, 30A262 ns沟渠现场停车165nC120A18ns/207ns1.17mJ--ROHS3 Compliant-YESEAR99600V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FGB20N60SFD-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 40A 208W D2PAK | 对比 |
![]() | IRG4BC30FD-SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 31A 100W D2PAK | 对比 |
![]() | IGB30N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |





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