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IXGA8N100备选型号: IXYA8N90C3D1
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- 工厂交货时间
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- 安装类型
- 包装/外壳
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- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 反向恢复时间
IGBT 1000V 16A 54W TO26325 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.59999gSILICON1kV2.7V-55°C~150°C TJTube2004e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)低饱和电压54W鸥翼未说明not_compliant未说明3R-PSSO-G2不合格SingleCOLLECTORStandard15 ns54W电源控制N-CHANNEL1kV16A1000V15 ns2.7V @ 15V, 8A900 nsPT26.5nC32A15ns/600ns2.3mJ (off)20V5.5VROHS3 Compliant无铅--
IGBT Transistors 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode28 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-1.946308g-900V2.5V-55°C~175°C TJTube2014e3-活跃1 (Unlimited)--Matte Tin (Sn)-125W--not_compliant----Single-Standard-125W-N-CHANNEL2.5V20A--2.5V @ 15V, 8A--13.3nC48A16ns/40ns460μJ (on), 180μJ (off)20V6VROHS3 Compliant-GenX3™, XPT™114 ns- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRG4BC20KDSTRLP | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 16A 60W D2PAK | 对比 |
 | HGT1S10N120BNS | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(2 Tab) TO-263AB Rail | 对比 |
| IXYA8N90C3D1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT Transistors 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode | 对比 |
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