Infineon Technologies IRG4BC20KDSTRLP
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IRG4BC20KDSTRLP
1211-IRG4BC20KDSTRLP
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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IGBT 600V 16A 60W D2PAK
1最小包装量--
IRG4BC20KDSTRLP详情
Infineon Technologies IRG4BC20KDSTRLP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.27V
Number of Elements
1
Test Conditions
480V, 9A, 50 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2000
JESD-609代码
e3
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
端子表面处理
哑光锡
附加功能
超快软恢复
最大功率耗散
60W
终端形式
鸥翼
基本部件号
IRG4BC20KD-SPBF
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
功率耗散
60W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
晶体管应用
MOTOR CONTROL
上升时间
34ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
2.8V
最大集电极电流
16A
反向恢复时间
37 ns
最大击穿电压
600V
接通时间
88 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.8V @ 15V, 9A
关断时间-标准值(toff)
380 ns
闸门收费
34nC
集极脉冲电流(Icm)
32A
Td(开/关)@25°C
54ns/180ns
开关能量
340μJ (on), 300μJ (off)
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IRG4BC20KDSTRLP拓展信息
Infineon Technologies
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