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首页 全部分类 IXGH25N120 vs IRG7PH35UDPBF

IXGH25N120备选型号: IRG7PH35UDPBF

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  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
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  • VCEsat-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • ECCN 代码
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 反向恢复时间
  • IGBT类型
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXGH25N120
    IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1997
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    200W
    260
    35
    3
    不合格
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    200W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    50A
    TO-247AD
    1200V
    350 ns
    3V @ 15V, 25A
    1920 ns
    130nC
    100A
    100ns/650ns
    11mJ (off)
    20V
    3 V
    6V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG7PH35UDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 50A 180W TO247AC
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    180W
    -
    -
    -
    -
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.2V
    50A
    TO-247AC
    1200V
    45 ns
    2.2V @ 15V, 20A
    400 ns
    85nC
    60A
    30ns/160ns
    1.06mJ (on), 620μJ (off)
    -
    -
    6V
    ROHS3 Compliant
    1.9V
    EAR99
    180W
    30 ns
    105 ns
    Trench
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
    无SVHC
    无
    无铅
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