IXGH25N120详情
IXYS IXGH25N120重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
6.500007g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Number of Elements
1
Test Conditions
960V, 25A, 33 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
1997
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
200W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
35
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
200W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
50A
JEDEC-95代码
TO-247AD
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
350 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3V @ 15V, 25A
关断时间-标准值(toff)
1920 ns
闸门收费
130nC
集极脉冲电流(Icm)
100A
Td(开/关)@25°C
100ns/650ns
开关能量
11mJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
VCEsat-最大值
3 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IXGH25N120拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
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