IXGH25N120备选型号: STGWA25M120DF3

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • VCEsat-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 反向恢复时间
  • IGBT类型
  • 达到SVHC
  • IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1997
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    200W
    260
    35
    3
    不合格
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    200W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    50A
    TO-247AD
    1200V
    350 ns
    3V @ 15V, 25A
    1920 ns
    130nC
    100A
    100ns/650ns
    11mJ (off)
    20V
    3 V
    6V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGWA25M120DF3 IGBT Single Transistor, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    -
    1.2kV
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    375W
    未说明
    未说明
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    375W
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    50A
    -
    1200V
    -
    2.3V @ 15V, 25A
    -
    85nC
    100A
    28ns/150ns
    850μJ (on), 1.3mJ (off)
    20V
    -
    7V
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    1.85V
    EAR99
    STGWA25
    265 ns
    沟渠现场停车
    无SVHC
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