IXGH28N60B3D1备选型号: IXGH30N60C3D1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 功率耗散
- 输入电容
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- IGBT 600V 66A 190W TO247AD30 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON600V-55°C~150°C TJTubePolarHV™2007e1yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)190WSINGLE未说明未说明IXG*28N603不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODECOLLECTORStandard190W电源控制N-CHANNEL1.8V66A25 nsTO-247AD45 ns1.8V @ 15V, 24A350 nsPT62nC150A19ns/125ns340μJ (on), 650μJ (off)ROHS3 Compliant无铅-----
- IGBT 600V 60A 220W TO24730 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON600V-55°C~150°C TJTubeGenX3™2009e1yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)220WSINGLE未说明未说明IXG*30N603不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODECOLLECTORStandard-电源控制N-CHANNEL600V60A25nsTO-247AD45 ns3V @ 15V, 20A160 ns-38nC150A16ns/42ns270μJ (on), 90μJ (off)ROHS3 Compliant无铅600V220W915pF20V5.5V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXGH30N60C3D1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 60A 220W TO247 | 对比 |
![]() | RJH60D5BDPQ-E0#T2 | Renesas Electronics America | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 75A 200W TO-247 | 对比 |
![]() | APT30GS60BRDQ2G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 54A 250W SOT227 | 对比 |





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