Microsemi Corporation APT30GS60BRDQ2G
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APT30GS60BRDQ2G
1619-APT30GS60BRDQ2G
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT 600V 54A 250W SOT227
1最小包装量--
APT30GS60BRDQ2G详情
Microsemi Corporation APT30GS60BRDQ2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
25 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Test Conditions
400V, 30A, 9.1 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
Thunderbolt IGBT®
已出版
1999
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
250W
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
250W
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
54A
反向恢复时间
25 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.15V @ 15V, 30A
IGBT类型
NPT
闸门收费
145nC
集极脉冲电流(Icm)
113A
Td(开/关)@25°C
16ns/360ns
开关能量
570μJ (off)
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
APT30GS60BRDQ2G拓展信息
Microsemi Corporation
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