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首页 全部分类 IXGH28N60B3D1 vs IXXH30N60B3D1

IXGH28N60B3D1备选型号: IXXH30N60B3D1

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  • 接通时间
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • 开关能量
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • IXYS
    IXGH28N60B3D1
    IXYS
    IGBT 600V 66A 190W TO247AD
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarHV™
    2007
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    190W
    SINGLE
    未说明
    未说明
    IXG*28N60
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    COLLECTOR
    Standard
    190W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.8V
    66A
    25 ns
    TO-247AD
    45 ns
    1.8V @ 15V, 24A
    350 ns
    PT
    62nC
    150A
    19ns/125ns
    340μJ (on), 650μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXXH30N60B3D1
    IXYS
    IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    270W
    -
    -
    -
    -
    3
    不合格
    -
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    60A
    25ns
    TO-247AD
    57 ns
    1.85V @ 15V, 24A
    292 ns
    PT
    39nC
    115A
    23ns/97ns
    550μJ (on), 500μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1.66V
    R-PSFM-T3
    Single
    270W
    20V
    5.5V
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