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首页 全部分类 IXGH36N60B3C1 vs HGTG20N60A4

IXGH36N60B3C1备选型号: HGTG20N60A4

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  • 生命周期状态
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  • ECCN 代码
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  • 额定电流
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • IXYS
    IXGH36N60B3C1
    IXYS
    IXYS SEMICONDUCTOR IXGH36N60B3C1 IGBT Single Transistor, 75 A, 1.8 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    1.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    250W
    IXG*36N60
    3
    Single
    250W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    75A
    TO-247AD
    47 ns
    1.8V @ 15V, 30A
    350 ns
    PT
    80nC
    200A
    20ns/125ns
    390μJ (on), 800μJ (off)
    20V
    5V
    160ns
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTG20N60A4
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 70A 290W TO247
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    低导通损耗
    290W
    HGTG20N60
    -
    Single
    290W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    70A
    -
    28 ns
    2.7V @ 15V, 20A
    160 ns
    -
    142nC
    280A
    15ns/73ns
    105μJ (on), 150μJ (off)
    20V
    7V
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    6.39g
    EAR99
    8541.29.00.95
    600V
    70A
    15 ns
    12ns
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无铅
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