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首页 全部分类 IXGH45N120 vs IRGP30B120KD-EP

IXGH45N120备选型号: IRGP30B120KD-EP

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 最小工作温度
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 反向恢复时间
  • IGBT类型
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXGH45N120
    IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2001
    yes
    活跃
    3
    1.2kV
    300W
    未说明
    75A
    未说明
    3
    不合格
    Single
    300W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    28ns
    N-CHANNEL
    1.2kV
    75A
    TO-247AD
    1200V
    96 ns
    2.5V @ 15V, 45A
    1400 ns
    170nC
    180A
    55ns/370ns
    14mJ (off)
    20V
    5V
    700ns
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGP30B120KD-EP
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 60A 300W TO247AD
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    -
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    -
    最后一次购买
    -
    1.2kV
    300W
    -
    60A
    -
    -
    -
    Single
    300W
    -
    Standard
    -
    25ns
    -
    4V
    60A
    -
    1200V
    -
    4V @ 15V, 60A
    -
    169nC
    120A
    -
    1.07mJ (on), 1.49mJ (off)
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    TO-247AD
    2.28V
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    50 ns
    300W
    300 ns
    NPT
    18.7mm
    15.6972mm
    5.1mm
    无SVHC
    无
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