IXGH45N120备选型号: IXGH40N120B2D1
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- 晶体管元件材料
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- 电压 - 额定直流
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- 峰值回流焊温度(摄氏度)
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- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- RoHS状态
- 无铅
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- JESD-609代码
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 反向恢复时间
- IGBT类型
- 高度
- 长度
- 宽度
- Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD8 Weeks通孔通孔TO-247-336.500007gSILICON1.2kV-55°C~150°C TJBulk2001yes活跃31.2kV300W未说明75A未说明3不合格Single300WCOLLECTORStandard电源控制28nsN-CHANNEL1.2kV75ATO-247AD1200V96 ns2.5V @ 15V, 45A1400 ns170nC180A55ns/370ns14mJ (off)20V5V700nsROHS3 Compliant无铅-----------
- IGBT 1200V 75A 380W TO24730 Weeks通孔通孔TO-247-336.500007gSILICON1.2kV-55°C~150°C TJTube2009yes活跃3-380W未说明-未说明3不合格Single380WCOLLECTORStandard电源控制-N-CHANNEL1.2kV75A-1200V79 ns3.5V @ 15V, 40A770 ns138nC200A21ns/290ns4.5mJ (on), 3mJ (off)20V5V270nsROHS3 Compliant无铅2.9Ve11 (Unlimited)EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)IXG*40N120100nsPT21.46mm16.26mm5.3mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRGP30B120KD-EP | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 60A 300W TO247AD | 对比 |
![]() | IXDH30N120D1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-3P-3 Full Pack | IXDH Series 1200 Vce 60 A 100 ns t(on) High Voltage IGBT - TO-247AD | 对比 |
![]() | IXGH40N120B2D1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 75A 380W TO247 | 对比 |





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