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首页 全部分类 IXGH48N60A3D1 vs APT30GS60BRDQ2G

IXGH48N60A3D1备选型号: APT30GS60BRDQ2G

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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXGH48N60A3D1
    IXYS
    IGBT 600V 300W TO247AD
    30 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    3
    6.500007g
    SILICON
    600V
    1.18V
    2009
    GenX3™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    300W
    SINGLE
    未说明
    未说明
    IXG*48N60
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    300W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.35V
    300A
    25ns
    TO-247AD
    54 ns
    1.35V @ 15V, 32A
    925 ns
    PT
    110nC
    25ns/334ns
    950μJ (on), 2.9mJ (off)
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT30GS60BRDQ2G
    Microsemi Corporation
    IGBT 600V 54A 250W SOT227
    25 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    -
    -
    -
    600V
    -
    1999
    Thunderbolt IGBT®
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    -
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    250W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Standard
    -
    -
    600V
    54A
    25 ns
    -
    -
    3.15V @ 15V, 30A
    -
    NPT
    145nC
    16ns/360ns
    570μJ (off)
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    Single
    250W
    113A
    无
  • 添加型号
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