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首页 全部分类 IXGH48N60B3D1 vs IXXH100N60B3

IXGH48N60B3D1备选型号: IXXH100N60B3

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  • Td（开/关）@25°C
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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子位置
  • 配置
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • IXYS
    IXGH48N60B3D1
    IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.500007g
    SILICON
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    300W
    未说明
    未说明
    IXG*48N60
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    300W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    280A
    100ns
    TO-247AD
    44 ns
    1.8V @ 15V, 32A
    347 ns
    PT
    115nC
    22ns/130ns
    840μJ (on), 660μJ (off)
    20V
    5V
    200ns
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXXH100N60B3
    IXYS
    IGBT Transistors XPT IGBT B3-Class 600V/210Amp
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.500007g
    SILICON
    600V
    1.8V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    雪崩 额定
    830W
    -
    -
    IXX*N60
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    -
    830W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.8V
    220A
    -
    TO-247AD
    92 ns
    1.8V @ 15V, 70A
    350 ns
    PT
    143nC
    30ns/120ns
    1.9mJ (on), 2mJ (off)
    20V
    5.5V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SINGLE
    SINGLE
    480A
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