IXGH48N60B3D1备选型号: IXXX110N65B4H1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- RoHS状态
- 无铅
- Reach合规守则
- 接通延迟时间
- 集极脉冲电流(Icm)
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 3-Pin(3 Tab) TO-24730 Weeks通孔通孔TO-247-36.500007gSILICON600V1.8V-55°C~150°C TJTubeGenX3™2008e1yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)低导通损耗300W未说明未说明IXG*48N603R-PSFM-T3不合格Single300WCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL600V280A100nsTO-247AD44 ns1.8V @ 15V, 32A347 nsPT115nC22ns/130ns840μJ (on), 660μJ (off)20V5V200nsROHS3 Compliant无铅---
- IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT18 Weeks通孔通孔TO-247-3--650V1.75V-55°C~175°C TJTubeGenX4™, XPT™2013e3-活跃1 (Unlimited)-Matte Tin (Sn)-880W--110N65---Single880W-Standard-N-CHANNEL2.1V240A100 ns--2.1V @ 15V, 110A-PT183nC38ns/156ns2.2mJ (on), 1.05mJ (off)20V6.5V-ROHS3 Compliant无铅not_compliant26 ns630A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT100GN60B2G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 Variant | Trans IGBT Chip N-CH 600V 229A 3-Pin(3 Tab) T-MAX | 对比 |
![]() | IXXX110N65B4H1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT | 对比 |
![]() | IXXH100N60B3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors XPT IGBT B3-Class 600V/210Amp | 对比 |





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