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首页 全部分类 IXGH56N60A3 vs FGY75N60SMD

IXGH56N60A3备选型号: FGY75N60SMD

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 生命周期状态
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  • 质量
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  • HTS代码
  • 功率 - 最大
  • 反向恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXGH56N60A3
    IXYS
    IGBT Modules GenX3 600V IGBTs
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    330W
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    330W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.35V
    150A
    TO-247AD
    66 ns
    1.35V @ 15V, 44A
    910 ns
    PT
    140nC
    370A
    26ns/310ns
    1mJ (on), 3.75mJ (off)
    20V
    5V
    550ns
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGY75N60SMD
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY75N60SMDIGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pins
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    SILICON
    600V
    1.9V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    750W
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    150A
    -
    76 ns
    2.5V @ 15V, 75A
    161 ns
    场站
    248nC
    225A
    24ns/136ns
    2.3mJ (on), 770μJ (off)
    20V
    6.5V
    29ns
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 hours ago)
    3
    7.629g
    EAR99
    8541.29.00.95
    750W
    55 ns
    20.32mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    无铅
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