ON Semiconductor FGH75N60SFTU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 75A, 3 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

452W

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

452W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

150A

JEDEC-95代码

TO-247AB

接通时间

87 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.9V @ 15V, 75A

关断时间-标准值（toff)

159 ns

IGBT类型

场站

闸门收费

250nC

集极脉冲电流（Icm）

225A

Td（开/关）@25°C

26ns/138ns

开关能量

2.7mJ (on), 1mJ (off)

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant