IXGK120N120A3备选型号: APT35GN120L2DQ2G
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- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 连续集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- IGBT 1200V 240A 830W TO26430 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AA310.000011gSILICON1.2kV1.85V2009GenX3™Tube-55°C~150°C TJe1yes活跃1 (Unlimited)3锡银铜低导通损耗830W未说明unknown未说明3不合格Single830WCOLLECTORStandard40 ns电源控制N-CHANNEL1.2kV240A1200V105 ns2.2V @ 15V, 100A1365 nsPT420nC600A40ns/490ns10mJ (on), 33mJ (off)20V5VROHS3 Compliant无铅--------
- IGBT 1200V 94A 379W TO26429 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AA310.6gSILICON1.2kV1.7V--Tube-55°C~150°C TJe1yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)HIGH RELIABILITY379W---3-Single-COLLECTORStandard-电源控制N-CHANNEL1.2kV94A1200V46 ns2.1V @ 15V, 35A465 nsNPT, Trench Field Stop220nC105A24ns/300ns2.315mJ (off)-6.5V符合RoHS标准无铅EAR991.2kV94A94A5.21mm26.49mm20.5mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT50GN120L2DQ2G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 1200V 134A 543W TO264 | 对比 |
![]() | APT35GN120L2DQ2G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 1200V 94A 379W TO264 | 对比 |
![]() | APT75GN120LG | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 200A 3-Pin(3 Tab) TO-264 | 对比 |





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