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IXGK28N140B3H1备选型号: APT64GA90LD30
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- 晶体管元件材料
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
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- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- ECCN 代码
- 附加功能
- 连续集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
IGBT 1400V 60A 300W TO2648 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AA10.000011gSILICON1.4kV3V-55°C~150°C TJTubeGenX3™2010e1yesObsolete1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)300W未说明未说明3R-PSFM-T3不合格Single300WCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL1.4kV60A350 ns1400V66 ns3.6V @ 15V, 28A915 nsPT88nC150A16ns/190ns3.6mJ (on), 3.9mJ (off)20V5V符合RoHS标准-------
Trans IGBT Chip N-CH 900V 117A 3-Pin(3 Tab) TO-26429 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AA10.6gSILICON900V2.5V-55°C~150°C TJTubePOWER MOS 8™1999e1yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)500W--3R-PSFM-T3-Single-COLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL900V117A--44 ns3.1V @ 15V, 38A352 nsPT162nC193A18ns/131ns1192μJ (on), 1088μJ (off)--符合RoHS标准EAR99低导通损耗117A5.21mm26.49mm20.5mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| APT35GN120L2DQ2G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 1200V 94A 379W TO264 | 对比 |
| APT64GA90LD30 | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 900V 117A 3-Pin(3 Tab) TO-264 | 对比 |
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