IXYS IXGK28N140B3H1

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

质量

10.000011g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.4kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

3V

Number of Elements

1

Test Conditions

960V, 28A, 5 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

GenX3™

已出版

2010

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最大功率耗散

300W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

300W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.4kV

最大集电极电流

60A

反向恢复时间

350 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1400V

接通时间

66 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.6V @ 15V, 28A

关断时间-标准值（toff)

915 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

88nC

集极脉冲电流（Icm）

150A

Td（开/关）@25°C

16ns/190ns

开关能量

3.6mJ (on), 3.9mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

RoHS状态

符合RoHS标准