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首页 全部分类 IXGP2N100 vs IXYP8N90C3

IXGP2N100备选型号: IXYP8N90C3

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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 功率耗散
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • IXYS
    IXGP2N100
    IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 1KV 4A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    2.299997g
    SILICON
    1kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    25W
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    25W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1kV
    4A
    TO-220AB
    1000V
    100 ns
    2.7V @ 15V, 2A
    100 ns
    7.8nC
    8A
    15ns/300ns
    560μJ (off)
    20V
    8V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXYP8N90C3
    IXYS
    IGBT Transistors XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    -
    900V
    -
    Tube
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    125W
    -
    -
    3
    -
    -
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    20A
    TO-220AB
    -
    39 ns
    2.5V @ 15V, 8A
    238 ns
    13.3nC
    48A
    16ns/40ns
    460μJ (on), 180μJ (off)
    20V
    6V
    ROHS3 Compliant
    3
    2.15V
    GenX3™, XPT™
    175°C
    -55°C
    雪崩 额定
    125W
    16mm
    10.66mm
    4.83mm
    无铅
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