IXGP12N120A3详情
IXYS IXGP12N120A3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
30 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
GenX3™
已出版
2010
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
附加功能
低导通损耗
最大功率耗散
100W
端子位置
SINGLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
100W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
3V
最大集电极电流
22A
JEDEC-95代码
TO-220AB
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
202 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3V @ 15V, 12A
关断时间-标准值(toff)
1545 ns
IGBT类型
PT
闸门收费
20.4nC
集极脉冲电流(Icm)
60A
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IXGP12N120A3拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
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