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首页 全部分类 IXGP30N60B2 vs STGF10NB60SD

IXGP30N60B2备选型号: STGF10NB60SD

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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXGP30N60B2
    IXYS
    IGBT 600V 70A 190W TO220
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    2.299997g
    SILICON
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFAST™
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    190W
    未说明
    未说明
    IXG*30N60
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    190W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    70A
    TO-220AB
    30 ns
    1.8V @ 15V, 24A
    350 ns
    66nC
    150A
    13ns/110ns
    320μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGF10NB60SD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGF10NB60SD IGBT Single Transistor, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    SILICON
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn) - annealed
    25W
    -
    -
    STGF10
    3
    -
    -
    Single
    ISOLATED
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    23A
    TO-220AB
    1160 ns
    1.75V @ 15V, 10A
    3100 ns
    33nC
    80A
    700ns/1.2μs
    600μJ (on), 5mJ (off)
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    3
    EAR99
    600V
    10A
    25W
    460ns
    600V
    37ns
    20A
    600V
    20V
    5V
    20mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    无铅
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