IXYS IXGP30N60B2

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

质量

2.299997g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.8V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 24A, 5 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFAST™

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

190W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

IXG*30N60

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

190W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

70A

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

30 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.8V @ 15V, 24A

关断时间-标准值（toff)

350 ns

闸门收费

66nC

集极脉冲电流（Icm）

150A

Td（开/关）@25°C

13ns/110ns

开关能量

320μJ (off)

RoHS状态

ROHS3 Compliant