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首页 全部分类 IXGP8N100 vs IXA12IF1200PB

IXGP8N100备选型号: IXA12IF1200PB

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  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 功率耗散
  • 反向恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXGP8N100
    IXYS
    IGBT 1000V 16A 54W TO220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    2.299997g
    SILICON
    1kV
    3V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    低饱和电压
    54W
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    不合格
    Single
    Standard
    15 ns
    54W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1kV
    16A
    TO-220AB
    1000V
    15 ns
    2.7V @ 15V, 8A
    900 ns
    PT
    26.5nC
    32A
    15ns/600ns
    2.3mJ (off)
    20V
    5.5V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXA12IF1200PB
    IXYS
    IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200PB IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pins
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    1.2kV
    2.1V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2009
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    85W
    未说明
    -
    未说明
    3
    不合格
    Single
    Standard
    -
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    20A
    TO-220AB
    1200V
    110 ns
    2.1V @ 15V, 10A
    350 ns
    PT
    27nC
    -
    -
    1.1mJ (on), 1.1mJ (off)
    20V
    6.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    28 Weeks
    e3
    EAR99
    PURE TIN
    85W
    350 ns
    16mm
    10.66mm
    4.82mm
    无SVHC
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