IXYS IXGP8N100

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

2.299997g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

3V

Number of Elements

1

Test Conditions

800V, 8A, 120 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

600 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2004

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

低饱和电压

最大功率耗散

54W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

输入类型

Standard

接通延迟时间

15 ns

功率 - 最大

54W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1kV

最大集电极电流

16A

JEDEC-95代码

TO-220AB

电压 - 集射极击穿（最大值）

1000V

接通时间

15 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 8A

关断时间-标准值（toff)

900 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

26.5nC

集极脉冲电流（Icm）

32A

Td（开/关）@25°C

15ns/600ns

开关能量

2.3mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅