IXGP8N100备选型号: IXYP8N90C3
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- 晶体管元件材料
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- 附加功能
- 最大功率耗散
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- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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- 元素配置
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 系列
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率耗散
- 箱体转运
- 高度
- 长度
- 宽度
- IGBT 1000V 16A 54W TO220通孔通孔TO-220-332.299997gSILICON1kV3V-55°C~150°C TJTube2004yesObsolete1 (Unlimited)3低饱和电压54W未说明unknown未说明3不合格SingleStandard15 ns54W电源控制N-CHANNEL1kV16ATO-220AB1000V15 ns2.7V @ 15V, 8A900 nsPT26.5nC32A15ns/600ns2.3mJ (off)20V5.5V符合RoHS标准无铅---------
- IGBT Transistors XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT通孔通孔TO-220-33--900V2.15V-Tube2013-活跃1 (Unlimited)3雪崩 额定125W---3-SingleStandard--电源控制N-CHANNEL900V20ATO-220AB-39 ns2.5V @ 15V, 8A238 ns-13.3nC48A16ns/40ns460μJ (on), 180μJ (off)20V6VROHS3 Compliant无铅24 WeeksGenX3™, XPT™175°C-55°C125WCOLLECTOR16mm10.66mm4.83mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXYP8N90C3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT Transistors XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT | 对比 |
![]() | STGP3NC120HD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 14A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube | 对比 |
![]() | IXYP8N90C3D1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT Transistors XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBTs | 对比 |




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