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首页 全部分类 IXGR35N120B vs FGL35N120FTDTU

IXGR35N120B备选型号: FGL35N120FTDTU

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 生命周期状态
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  • 功率 - 最大
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  • 反向恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXGR35N120B
    IXYS
    IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    3
    SILICON
    1.2kV
    3.3V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFAST™
    2001
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    200W
    未说明
    unknown
    未说明
    IXG*35N120
    3
    不合格
    NPN
    Single
    200W
    ISOLATED
    Standard
    电源控制
    160ns
    1.2kV
    70A
    1200V
    86 ns
    3.3V @ 15V, 35A
    660 ns
    PT
    170nC
    140A
    50ns/180ns
    3.8mJ (off)
    20V
    5V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGL35N120FTDTU
    ON Semiconductor
    IGBT 1200V 70A 368W TO264
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    3
    -
    1.2kV
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    368W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    Standard
    -
    -
    1.2kV
    70A
    1200V
    -
    2.2V @ 15V, 35A
    -
    沟渠现场停车
    210nC
    105A
    34ns/172ns
    2.5mJ (on), 1.7mJ (off)
    25V
    7.5V
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    6.756g
    8541.29.00.95
    368W
    N-CHANNEL
    337 ns
    26.4mm
    20.2mm
    5.2mm
    无
    无铅
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