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首页 全部分类 IXGR55N120A3H1 vs IRG8P50N120KDPBF

IXGR55N120A3H1备选型号: IRG8P50N120KDPBF

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  • 反向恢复时间
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • IXYS
    IXGR55N120A3H1
    IXYS
    IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS
    200W
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    ISOLATED
    Standard
    200W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.35V
    70A
    200 ns
    TO-247AD
    1200V
    70 ns
    2.35V @ 15V, 55A
    1253 ns
    PT
    185nC
    330A
    23ns/365ns
    5.1mJ (on), 13.3mJ (off)
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG8P50N120KDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    1.2kV
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2014
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    350W
    -
    -
    unknown
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Standard
    -
    -
    -
    2V
    50A
    170 ns
    -
    1200V
    -
    2V @ 15V, 35A
    -
    -
    315nC
    105A
    35ns/190ns
    2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
    -
    -
    符合RoHS标准
    3
    1.7V
    EAR99
    Single
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
    无铅
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