IXYS IXGR55N120A3H1

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

1

Test Conditions

960V, 55A, 3 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

GenX3™

已出版

2009

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡银铜

附加功能

ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS

最大功率耗散

200W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

ISOLATED

输入类型

Standard

功率 - 最大

200W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.35V

最大集电极电流

70A

反向恢复时间

200 ns

JEDEC-95代码

TO-247AD

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

70 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.35V @ 15V, 55A

关断时间-标准值（toff)

1253 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

185nC

集极脉冲电流（Icm）

330A

Td（开/关）@25°C

23ns/365ns

开关能量

5.1mJ (on), 13.3mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant