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首页 全部分类 IXGR60N60C3C1 vs NGTB35N60FL2WG

IXGR60N60C3C1备选型号: NGTB35N60FL2WG

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  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 元素配置
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  • 反向恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • IXYS
    IXGR60N60C3C1
    IXYS
    IGBT 600V 75A 170W ISOPLUS247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    3
    5.3g
    SILICON
    600V
    2.2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2010
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    170W
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    IXG*60N60
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    170W
    ISOLATED
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.5V
    75A
    62 ns
    2.5V @ 15V, 40A
    198 ns
    PT
    115nC
    260A
    24ns/70ns
    830μJ (on), 450μJ (off)
    20V
    5V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NGTB35N60FL2WG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTB35N60FL2WGIGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    -
    600V
    2.2V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2014
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    300W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Standard
    -
    -
    600V
    70A
    -
    2V @ 15V, 35A
    -
    沟渠现场停车
    125nC
    120A
    72ns/132ns
    840μJ (on), 280μJ (off)
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Single
    300W
    68 ns
    21.08mm
    16.26mm
    5.3mm
    无铅
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