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首页 全部分类 IXGR72N60A3H1 vs IXGH30N60C3D1

IXGR72N60A3H1备选型号: IXGH30N60C3D1

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  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 端子位置
  • 配置
  • JEDEC-95代码
  • 输入电容
  • 无铅
  • IXYS
    IXGR72N60A3H1
    IXYS
    IGBT Modules Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    3
    SILICON
    600V
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    低导通损耗
    200W
    未说明
    unknown
    未说明
    IXG*72N60
    3
    不合格
    Single
    200W
    ISOLATED
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    75A
    140 ns
    63 ns
    1.45V @ 15V, 60A
    885 ns
    PT
    230nC
    400A
    31ns/320ns
    1.4mJ (on), 3.5mJ (off)
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXGH30N60C3D1
    IXYS
    IGBT 600V 60A 220W TO247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    -
    220W
    未说明
    -
    未说明
    IXG*30N60
    3
    不合格
    -
    220W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    60A
    25ns
    45 ns
    3V @ 15V, 20A
    160 ns
    -
    38nC
    150A
    16ns/42ns
    270μJ (on), 90μJ (off)
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    TO-247AD
    915pF
    无铅
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