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IXGT12N120A2D1备选型号: APT25GR120S
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IGBT 1200V TO26825 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA4.500005g1.2kVTube2002活跃1 (Unlimited)IXG*12N120Standard1200VROHS3 Compliant----------------
IGBT 1200V 75A 521W D3PAK19 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA-1.2kVBulk2001活跃1 (Unlimited)-Standard1200V符合RoHS标准-55°C~150°C TJEAR99521W521WN-CHANNEL3.2V75A3.2V @ 15V, 25ANPT203nC100A16ns/122ns742μJ (on), 427μJ (off)30V6.5V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| APT25GN120SG | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(2 Tab) D3PAK | 对比 |
| APT25GR120S | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | 对比 |
 | IXA12IF1200TC | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3 | IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200TC IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-268AA, 3 Pins | 对比 |
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