IXGT12N120A2D1备选型号: IXA4IF1200TC
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- 基本部件号
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- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- RoHS状态
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 终端形式
- 参考标准
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- IGBT 1200V TO26825 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA4.500005g1.2kVTube2002活跃1 (Unlimited)IXG*12N120Standard1200VROHS3 Compliant------------------------
- -表面贴装-TO-268-3-1-------符合RoHS标准31.8V2EAR99150°C-55°C鸥翼IEC-60747R-PSSO-G2Single45WCOLLECTOR电源控制N-CHANNEL1.2kV9A350 nsTO-268AA110 ns350 ns5.1mm16.05mm14mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT25GN120SG | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(2 Tab) D3PAK | 对比 |
![]() | APT25GR120S | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | 对比 |
![]() | IXA12IF1200TC | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3 | IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200TC IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-268AA, 3 Pins | 对比 |






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