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IXGT24N170AH1备选型号: IXGT10N170
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- 端子表面处理
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- 最大功率耗散
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
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- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 功率耗散
- 漏源电压 (Vdss)
- 无铅
Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 24A25 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA6.500007gSILICON1.7kV6V-55°C~150°C TJTube2009e3yesObsolete1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn)低导通损耗250W鸥翼IXG*24N1704R-PSSO-G2SingleCOLLECTORStandard250W电源控制N-CHANNEL1.7kV24A200 ns1700V54 ns6V @ 15V, 16A456 nsNPT140nC75A21ns/336ns2.97mJ (on), 790μJ (off)20V5V80ns无符合RoHS标准-------- Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2 Tab) TO-26824 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA4.500005gSILICON1.7kV2.7V-55°C~150°C TJTube2008e3yes活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn)-110W鸥翼IXG*10N1704R-PSSO-G2SingleCOLLECTORStandard-MOTOR CONTROLN-CHANNEL1.7kV20A-1700V107 ns4V @ 15V, 10A240 nsNPT32nC70A------ROHS3 Compliant未说明not_compliant未说明不合格110W1.7kV无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | APT25GN120SG | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(2 Tab) D3PAK | 对比 |
| IXGT16N170AH1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1700V 16A 190W TO268 | 对比 |
| IXGT10N170 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2 Tab) TO-268 | 对比 |
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