IXGT4N250C备选型号: APT25GR120S
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- 工厂交货时间
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- ECCN 代码
- 无铅
- IGBT 2500V 13A 150W TO26818 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AASILICON2.5kV-55°C~150°C TJTube2011e3活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn)150WSINGLE鸥翼unknown4R-PSSO-G2不合格SINGLECOLLECTORStandard150W电源控制N-CHANNEL6V13A2500V6V @ 15V, 4A471 nsNPT57nC46A-/350ns360μJ (off)20V5VROHS3 Compliant--
- IGBT 1200V 75A 521W D3PAK19 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA-1.2kV-55°C~150°C TJBulk2001-活跃1 (Unlimited)--521W--------Standard521W-N-CHANNEL3.2V75A1200V3.2V @ 15V, 25A-NPT203nC100A16ns/122ns742μJ (on), 427μJ (off)30V6.5V符合RoHS标准EAR99无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXBT6N170 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 12A 3-Pin(2 Tab) TO-268 | 对比 |
![]() | IXGT6N170 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 6A 3-Pin(2 Tab) TO-268 | 对比 |
![]() | APT25GR120S | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | 对比 |




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