IXYS IXGT4N250C

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

2.5kV

Number of Elements

1

Test Conditions

1250V, 4A, 20 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

150W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

150W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

6V

最大集电极电流

13A

电压 - 集射极击穿（最大值）

2500V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

6V @ 15V, 4A

关断时间-标准值（toff)

471 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

57nC

集极脉冲电流（Icm）

46A

Td（开/关）@25°C

-/350ns

开关能量

360μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant