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IXGT72N60A3备选型号: APT25GR120SD15
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- 基本部件号
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- 资历状况
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- 晶体管应用
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- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
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- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
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- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 生命周期状态
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 无铅
IGBT 600V 75A 540W TO26826 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AASILICON600V-55°C~150°C TJTubeGenX3™, XPT™2008e3yes活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn)低导通损耗540WSINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明IXG*72N604R-PSSO-G2不合格SINGLECOLLECTORStandard540W电源控制N-CHANNEL1.35V75A61 ns1.35V @ 15V, 60A885 nsPT230nC400A31ns/320ns1.38mJ (on), 3.5mJ (off)20V5VROHS3 Compliant-----
IGBT 1200V 75A 521W D3PAK30 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA-1.2kV-55°C~150°C TJTube-2001--活跃1 (Unlimited)---521W-----------Standard521W-N-CHANNEL3.2V75A-3.2V @ 15V, 25A-NPT203nC100A16ns/122ns742μJ (on), 427μJ (off)30V6.5V符合RoHS标准IN PRODUCTION (Last Updated: 2 days ago)EAR9916 ns1200V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| APT25GR120SD15 | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | 对比 |
| IXBT6N170 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 12A 3-Pin(2 Tab) TO-268 | 对比 |
| IXYT30N65C3H1HV | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 650V 60A 270W TO268HV | 对比 |
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