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IXGT72N60A3备选型号: IXYT30N65C3H1HV
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- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
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IGBT 600V 75A 540W TO26826 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AASILICON600V-55°C~150°C TJTubeGenX3™, XPT™2008e3yes活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn)低导通损耗540WSINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明IXG*72N604R-PSSO-G2不合格SINGLECOLLECTORStandard540W电源控制N-CHANNEL1.35V75A61 ns1.35V @ 15V, 60A885 nsPT230nC400A31ns/320ns1.38mJ (on), 3.5mJ (off)20V5VROHS3 Compliant---- IGBT 650V 60A 270W TO268HV-表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA-650V-55°C~175°C TJTubeGenX3™, XPT™2014e3-活跃1 (Unlimited)-Matte Tin (Sn)-270W---not_compliant-------Standard270W--2.7V60A-2.7V @ 15V, 30A-PT44nC118A21ns/75ns1mJ (on), 270μJ (off)--ROHS3 Compliant2.35VSingle120 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | APT25GR120SD15 | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | 对比 |
| IXBT6N170 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 12A 3-Pin(2 Tab) TO-268 | 对比 |
| IXYT30N65C3H1HV | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 650V 60A 270W TO268HV | 对比 |
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