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首页 全部分类 IXGX100N160A vs IRG4PF50WPBF

IXGX100N160A备选型号: IRG4PF50WPBF

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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXGX100N160A
    IXYS
    IGBT Transistors 75Amps 600V
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    Tube
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    ROHS3 Compliant
    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4PF50WPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 900V 51A 200W TO247AC
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    Tube
    2004
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    ROHS3 Compliant
    14 Weeks
    3
    38.000013g
    SILICON
    900V
    2.25V
    -55°C~150°C TJ
    3
    通孔
    EAR99
    低导通损耗
    600V
    200W
    SINGLE
    51A
    Dual
    200W
    COLLECTOR
    Standard
    29 ns
    电源控制
    26ns
    N-CHANNEL
    2.7V
    51A
    TO-247AC
    54 ns
    2.7V @ 15V, 28A
    370 ns
    160nC
    204A
    29ns/110ns
    190μJ (on), 1.06mJ (off)
    20V
    6V
    220ns
    20.3mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    无铅
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