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IXGX120N120A3备选型号: IXYH82N120C3
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- 工厂交货时间
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 功率 - 最大
- JEDEC-95代码
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
IGBT 1200V 240A 830W PLUS24730 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON1.2kV1.85V-55°C~150°C TJTubeGenX3™2009e1yes活跃1 (Unlimited)3锡银铜低导通损耗830W未说明unknown未说明3不合格Single830WCOLLECTORStandard40 ns电源控制N-CHANNEL2.2V240A1200V105 ns2.2V @ 15V, 100A1365 nsPT420nC600A40ns/490ns10mJ (on), 33mJ (off)20V5VROHS3 Compliant无铅-------
IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD28 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON1.2kV2.75V-55°C~175°C TJTubeGenX3™, XPT™2008--活跃1 (Unlimited)3-雪崩 额定1.25kW---3不合格Single1.04kWCOLLECTORStandard29 ns电源控制N-CHANNEL1.2kV200A1200V119 ns3.2V @ 15V, 82A295 ns-215nC380A29ns/192ns4.95mJ (on), 2.78mJ (off)20V5VROHS3 Compliant无铅EAR991250WTO-247AD21.46mm16.26mm5.3mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STGWA25M120DF3 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGWA25M120DF3 IGBT Single Transistor, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 |
 | STGWA15M120DF3 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGWA15M120DF3 IGBT Single Transistor, 30 A, 1.85 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 |
| IXYH82N120C3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD | 对比 |
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