IXGX120N120A3备选型号: STGWA25M120DF3
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 功率 - 最大
- 反向恢复时间
- 达到SVHC
- IGBT 1200V 240A 830W PLUS24730 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON1.2kV1.85V-55°C~150°C TJTubeGenX3™2009e1yes活跃1 (Unlimited)3锡银铜低导通损耗830W未说明unknown未说明3不合格Single830WCOLLECTORStandard40 ns电源控制N-CHANNEL2.2V240A1200V105 ns2.2V @ 15V, 100A1365 nsPT420nC600A40ns/490ns10mJ (on), 33mJ (off)20V5VROHS3 Compliant无铅-------
- STMICROELECTRONICS STGWA25M120DF3 IGBT Single Transistor, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins30 Weeks通孔通孔TO-247-33-1.2kV1.85V-55°C~175°C TJTube----活跃1 (Unlimited)---375W未说明-未说明--Single--Standard--N-CHANNEL1.2kV50A1200V-2.3V @ 15V, 25A-沟渠现场停车85nC100A28ns/150ns850μJ (on), 1.3mJ (off)20V7VROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)38.000013gEAR99STGWA25375W265 ns无SVHC
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGWA25M120DF3 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGWA25M120DF3 IGBT Single Transistor, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 |
![]() | STGWA15M120DF3 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGWA15M120DF3 IGBT Single Transistor, 30 A, 1.85 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 |
![]() | IXYH82N120C3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD | 对比 |






哦! 它是空的。