IXGY2N120备选型号: FGD5T120SH
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 终止次数
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- JESD-609代码
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- Reach合规守则
- 功率 - 最大
- 最大击穿电压
- 达到SVHC
- Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 5A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA8 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON1.2kV3V-55°C~150°C TJBulk2002yes活跃21.2kV25W鸥翼未说明5A未说明4R-PSSO-G2不合格SingleCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL1.2kV5ATO-252AA1200V45 ns4.5V @ 15V, 5APT9nC8A15ns/300ns600μJ (off)ROHS3 Compliant无铅-----------
- IGBT 1200V 5A FS3 DPAK6 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-1.2kV2.9V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012yes活跃--69W-245-未说明-----Standard--3.6V10A-1200V-3.6V @ 15V, 5A沟渠现场停车6.7nC12.5A4.8ns/24.8ns247μJ (on), 94μJ (off)ROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)260.37mge31 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95not_compliant69W1.2kV无SVHC
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FGD3N60UNDF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT | 对比 |
![]() | SGD02N120BUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3 | 对比 |
![]() | IGD01N120H2BUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3 | 对比 |




哦! 它是空的。