IXKF40N60SCD1备选型号: STW55NM60ND

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  • 工厂交货时间
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  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 最大结点温度(Tj)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    Trans MOSFET N-CH 600V 41A 5-Pin(5 Tab) ISOPLUS I4-PAC
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    i4-Pac™-5 (3 Leads)
    5
    SILICON
    41A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2011
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    70MOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    HIGH RELIABILITY
    未说明
    未说明
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    280W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    70m Ω @ 25A, 10V
    3.9V @ 3mA
    250nC @ 10V
    30ns
    ±20V
    10 ns
    41A
    20V
    38A
    600V
    超级交界处
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    51A Tc
    150°C TJ
    Tube
    FDmesh™ II
    -
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    60MOhm
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    3
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    350W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 25.5A, 10V
    5V @ 250μA
    190nC @ 10V
    68ns
    ±25V
    96 ns
    51A
    25V
    -
    600V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    EAR99
    STW55N
    1
    33 ns
    5800pF @ 50V
    4V
    TO-247AC
    204A
    850 mJ
    150°C
    24.45mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
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