IXKP24N60C5备选型号: FCP11N60F
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- JESD-609代码
- 终端
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 静态电流
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB28 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON24A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008yes活跃1 (Unlimited)3165MOhm未说明unknown未说明3R-PSFM-T3不合格Single增强型MOSFET250WDRAINN-ChannelSWITCHING165m Ω @ 12A, 10V3.5V @ 790μA2000pF @ 100V52nC @ 10V±20V24ATO-220AB20V600V522 mJ超级交界处ROHS3 Compliant无铅--------------------
- MOSFET N-CH 600V 11A TO-22012 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON11A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperFET™2005yes活跃1 (Unlimited)3380MOhm未说明-未说明--不合格Single增强型MOSFET125W-N-ChannelSWITCHING380m Ω @ 5.5A, 10V5V @ 250μA1490pF @ 25V52nC @ 10V±30V11ATO-220AB30V600V--ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)31.8ge3通孔EAR99Tin (Sn)600V11A100μA34 ns98ns56 ns5V600V5 V9.4mm10.1mm4.7mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FCP11N60F | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 | 对比 | |
| FQP3N60C | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 3A TO-220 | 对比 | |
![]() | IRFB812PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB | 对比 |




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