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首页 全部分类 IXKP24N60C5M vs IPA60R120C7XKSA1

IXKP24N60C5M备选型号: IPA60R120C7XKSA1

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  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子位置
  • 配置
  • 箱体转运
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • IXYS
    IXKP24N60C5M
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
    SILICON
    8.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    PURE TIN
    AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    34W
    N-Channel
    SWITCHING
    165m Ω @ 10A, 10V
    3.5V @ 790μA
    2000pF @ 100V
    52nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    5 ns
    8.5A
    TO-220AB
    20V
    0.165Ohm
    600V
    522 mJ
    超级交界处
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA60R120C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    2008
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    R-PSFM-T3
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    120m Ω @ 7.8A, 10V
    4V @ 390μA
    1500pF @ 400V
    34nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    11A
    TO-220AB
    -
    0.12Ohm
    -
    78 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    ISOLATED
    无卤素
    600V
    66A
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